中微Primo SSC AD-RIE?已被客戶用于16納米關(guān)鍵閃存芯片加工的首選設(shè)備
上海和首爾2014年2月12日電 /美通社/ -- 中微半導體設(shè)備有限公司（簡稱“中微”）宣布獲得韓國先進存儲芯片生產(chǎn)廠商購買Primo SSC AD-RIE?（中微單反應(yīng)臺等離子體刻蝕設(shè)備）的重復訂單。該設(shè)備被客戶認可為用于16納米關(guān)鍵閃存芯片加工的首選設(shè)備（PTOR），將用于大批量芯片生產(chǎn)。此前，中微的Primo SSC AD-RIE?通過客戶生產(chǎn)線上嚴格的驗證，取得了比其他同類競爭產(chǎn)品更加優(yōu)異的結(jié)果。中微現(xiàn)在正在和客戶合作研究開發(fā)DRAM和3D NAND工藝。
中微副總裁兼韓國區(qū)總經(jīng)理尹敬一表示，中微設(shè)備成為“PTOR”標志著中微取得了一項重大進展，他說道：“很明顯，現(xiàn)在處于世界前沿的客戶不單單想從供應(yīng)商那兒尋找新設(shè)備，他們還希望能夠為復雜的生產(chǎn)過程帶來的挑戰(zhàn)尋求全面解決方案。這就要求先進技術(shù)和相關(guān)專業(yè)知識緊密聯(lián)系在一起，正是依靠這種模式，我們?yōu)樵摽蛻艚鉀Q了生產(chǎn)過程中碰到的各種問題，使得客戶的閃存芯片開發(fā)取得新的進展?！?/p>
Primo SSC AD-RIE?是中微Primo系列第三代、也是最新一代刻蝕設(shè)備產(chǎn)品，能夠滿足超高產(chǎn)能、優(yōu)異的芯片加工質(zhì)量和芯片刻蝕技術(shù)可延展性等嚴苛的技術(shù)要求。Primo SSC AD-RIE?的晶圓傳遞平臺可配置多達6個單晶圓加工反應(yīng)器，每個反應(yīng)器可以獨立地設(shè)定加工條件，從而靈活地實現(xiàn)精準的工藝控制。每個反應(yīng)器有極高的抽速，并有多區(qū)氣體分布、動態(tài)射頻功率以及多區(qū)溫度控制等可獨立調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)。而在線工藝微調(diào)和穩(wěn)固的腔體設(shè)計避免了高深寬比刻蝕工藝中常出現(xiàn)的刻蝕停止現(xiàn)象以及工藝飄移現(xiàn)象的發(fā)生，從而提高刻蝕的重復性并更容易實現(xiàn)反應(yīng)器之間的良好匹配，能夠大大提高生產(chǎn)效率。
中微刻蝕設(shè)備的一大關(guān)鍵優(yōu)勢在于它的配置極具靈活性。它在同一個主機系統(tǒng)上可以配備雙反應(yīng)器實現(xiàn)高產(chǎn)出和低成本，或者也可以配備單反應(yīng)器以滿足關(guān)鍵刻蝕工藝中高抽速等要求。這種配置的靈活性還體現(xiàn)在氣體控制系統(tǒng)的安裝上，他們既可以置于地面以便于維護，也可以置于設(shè)備上方以減少占地面積。
Primo SSC AD-RIE和Primo D-RIE是中微的注冊商標。
