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DB HiTek, 超高壓(UHV)電力半導體業(yè)務正式展開

2023-10-31 08:00 5505
  • 基于具競爭優(yōu)勢的電力半導體技術拓展高附加值、高增長業(yè)務
  • 將從冰箱等家電擴展至電動汽車、太陽能等應用領域
  • 以在2024年內確保全電壓區(qū)間的工藝技術為目標

韓國首爾2023年10月31日 /美通社/ -- 最近,8英寸晶圓代工廠DB HITEK正在升級超高壓(UHV)電力半導體工藝技術,并正式推進相關業(yè)務。

超高壓電力半導體工藝技術的應用領域廣泛,包括家電、汽車、通信、工業(yè)等,支持設計和制造用于驅動電機的 Gate Driver IC。Gate Driver IC市場占電力半導體IC市場的8%,預計自2022年至2027年年平均增長率達109%,需求有望大幅增加。

DB HITEK采用了以具競爭優(yōu)勢的電力半導體技術為基礎,拓展超高壓電力半導體業(yè)務,從而提升競爭力的戰(zhàn)略。

通過此次工藝技術升級,DB HITEK將創(chuàng)造能夠在Gate Driver IC中同時使用Level-Shifter絕緣方式和Galvanic絕緣方式的環(huán)境。由此,客戶們可以發(fā)揮芯片便于設計的Level-Shifter和高壓操作穩(wěn)定性較高的Galvanic絕緣的各自優(yōu)勢,并且該工藝的應用范圍也有望從現(xiàn)有的家電領域擴展至汽車、太陽能領域。

今年5月,DB HITEK首度推出了可以應用于系統(tǒng)空調等大功率壓縮機,且采用寬電壓,便于設計的900V級Level-Shifter。此外,實現(xiàn)了原本安裝于芯片外部的Bootstrap Diode內置自主研發(fā)了縮小體積的技術,并申請了專利,創(chuàng)造了不同于其他代工廠的Gate Driver IC設計環(huán)境。

DB HITEK表示,未來將確??稍谖姲雽w中實現(xiàn)的全區(qū)間工藝技術, 并提供適用于各領域的最佳Gate Driver設計環(huán)境。

具體來說,DB HITEK計劃于2024年1月將在Gate Driver IC市場中占最大比重10%的家電領域提供最佳600V工藝,并于年內依次確保用于電動滑板車及電動踏板車的200V工藝和用于紡織機及工規(guī)用1200V工藝,提升超高壓電力半導體的競爭力。

消息來源:DB HiTek
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