北京2021年12月29日 /美通社/ -- 企業(yè)級SSD作為數(shù)字信息時代的主要存儲介質(zhì)，技術(shù)水準要求相當苛刻，浪潮在核心部件SSD領(lǐng)域歷經(jīng)多年探索，研發(fā)和打磨，推出了NVMe SSD產(chǎn)品，已經(jīng)在互聯(lián)網(wǎng)，通信，金融、政府、企業(yè)等關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模部署，并得到了市場的檢驗和認可，浪潮自研SSD高可靠性的高端品質(zhì)是科技創(chuàng)新與工匠精神的極致追求。
NAND Flash作為SSD的關(guān)鍵核心器件，成本占整體成本的比例高達80%以上，對NAND特性分析成為SSD產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵核心要素，獲取輸出精準的NAND驗證參數(shù)對SSD的可靠性和性能至關(guān)重要。
MTBF(Mean time between failures,平均無故障時間)和UBER（Uncorrectable Bit Error Rate，不可修復的錯誤比特率）是SSD可靠性上最兩個重要指標，分別對應RDT(Reliability Demonstration Test，可靠度驗證測試)測試的Quarlity Test和Endurance Test，UBER主要驗證NAND壽命和糾錯能力，MTBF也包含糾錯能力。糾錯能力除NAND本身質(zhì)量外，產(chǎn)品可靠性主要依賴于NAND糾錯參數(shù)的準確性，而NAND特性驗證基于NAND治具平臺輸出NAND參數(shù)供FW固件使用，參數(shù)中就包含糾錯參數(shù)，同時也為SSD性能(主要是QoS)提供參數(shù)支持，比如糾錯參數(shù)的成功率，Suspend相關(guān)參數(shù)功能等。
浪潮為獲得產(chǎn)品的超高可靠性，面向SLC/MLC/TLC/QLC等閃存顆粒自主開發(fā)出了NAND Prober HX9000系列分析治具，可以提供介質(zhì)特性分析、壽命檢測、穩(wěn)定性追蹤的NAND特性測試項目，采用了行業(yè)領(lǐng)先的智能高溫控制器和自主創(chuàng)新的P/E Block讀寫算法并行收集閃存介質(zhì)的實時狀態(tài)，支持NAND介質(zhì)High Level指令集和Low Level指令集，圖形化界面，全方位監(jiān)測介質(zhì)實時狀態(tài)，通過開放的API（Application Programming Interface，應用程序接口）接口，為用戶提供自定義的介質(zhì)特性控制、監(jiān)測和狀態(tài)數(shù)據(jù)收集服務，設備購置和擁有成本有效的進行了降低。
敏捷開放，使測試更全更加精準
采用可靈活敏捷替換的NAND Socket槽，支持多個品牌和SLC/MLC/TLC/QLC多種類型NAND Flash存儲顆粒。
命令與隨機數(shù)支持更靈活，針對NAND介質(zhì)特性同時支持高級指令（High level commands）和低級指令（Low level commands），可以自由按需擴展，動態(tài)生成匹配芯片的隨機數(shù)，特性測試結(jié)果更精準。
特性收集API接口更開放，根據(jù)特性分析需求定向收集狀態(tài)數(shù)據(jù)，上位機和下位機源碼自主設計研發(fā)，全開放的API可以靈活收集狀態(tài)數(shù)據(jù)和可借鑒的特性分析經(jīng)驗。
精準溫控，保障品質(zhì)
市面上NAND分析治具均存在傳感器與NAND溫度不相符的情況，導致不能精準對產(chǎn)品可靠性進行模擬評估。浪潮通過建立傳感器溫度與NAND溫度對應表和動態(tài)調(diào)溫成功解決了此問題，數(shù)顯溫度控制器智能設定NAND環(huán)境溫度，針對NAND溫控精細化需求定制溫度控制器，實現(xiàn)智能設定、實時監(jiān)控NAND Flash環(huán)境溫度，更精準的評估SSD的可靠性。
數(shù)字顯示
溫控芯片
精益求精，可靠性提升30%
浪潮自研SSD通過NAND治具獲取精準的狀態(tài)數(shù)據(jù)并進行靈活的NAND特性算法分析，投入上千塊SSD進行真實測評，全面的NAND參數(shù)掌握，創(chuàng)新的特性分析算法和豐富的產(chǎn)品化經(jīng)驗，提前規(guī)避整盤的設計風險，不斷突破產(chǎn)品可靠性指標，使得平均無故障時間MTBF達到了260萬小時，可靠性相比業(yè)內(nèi)其他產(chǎn)品提升30%。
浪潮SSD產(chǎn)品開發(fā)或NAND Flash主控芯片研發(fā)中通過使用NAND Prober測試分析儀，提升了閃存主控芯片的設計、優(yōu)化了性能、提升了介質(zhì)壽命管控效率，有效提升主控芯片特性、優(yōu)化SSD整盤性能和可靠性，同時可以用于存儲介質(zhì)的新特性和新材料研究，支撐對傳統(tǒng)介質(zhì)新特性和新介質(zhì)新特性的測試、收集和分析，為未來產(chǎn)品的開發(fā)提供了重要參考。
未來浪潮存儲將秉承“云存智用運籌新數(shù)據(jù)”的存儲理念，在存儲基礎領(lǐng)域不斷下沉研發(fā)創(chuàng)新，掌握底層硬件關(guān)鍵核心技術(shù)，以領(lǐng)先技術(shù)助力關(guān)鍵行業(yè)全面釋放數(shù)據(jù)價值，加速數(shù)字化轉(zhuǎn)型。
