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武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

武漢新芯宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計方案。

武漢2019年12月18日 /美通社/ -- 2019年12月18日,紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡稱“武漢新芯”),一家領(lǐng)先的非易失性存儲供應(yīng)商,宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計方案。

XM25QWxxC系列產(chǎn)品的讀速在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)可達108MHz(在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持),提供比其他供應(yīng)商更快更強的性能,在電源電壓下降后,時鐘速度沒有任何減慢。其傳輸速率可以勝過8位和16位并行閃存。在連續(xù)讀取模式下能實現(xiàn)高效的存儲器訪問,僅需8個時鐘的指令周期即可讀取24位地址,從而實現(xiàn)真正的XIP(execute in place)操作。

XM25QWxxC系列支持SOP8和USON8封裝,協(xié)助客戶開發(fā)小尺寸的產(chǎn)品。

“XM25QWxxC系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝,可使便攜式設(shè)備的電池壽命延長1.5倍以上。此外,客戶可以通過寬電壓功能實現(xiàn)更好的庫存管理?!?span id="spanHghlt67a3">武漢新芯運營中心副總裁孫鵬先生表示,“該系列產(chǎn)品的發(fā)布是武漢新芯自主品牌戰(zhàn)略的關(guān)鍵里程碑,未來公司也將針對持續(xù)發(fā)展的IoT市場不斷開發(fā)出創(chuàng)新產(chǎn)品,以此擴展高性能存儲產(chǎn)品組合?!?/p>

消息來源:武漢新芯集成電路制造有限公司
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