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LSI率先演示采用Toshiba 19nm和Intel 20nm NAND閃存技術(shù)的SSD

2012-06-05 15:00 4210
在2012臺(tái)北國(guó)際電腦展上,LSI公司宣布演示其閃存存儲(chǔ)處理器,該產(chǎn)品采用Toshiba 19nm以及Intel 20nm NAND 閃存 -- 目前SSD應(yīng)用中用的最先進(jìn)閃存技術(shù)。這些前沿的技術(shù)將于本周的臺(tái)北國(guó)際電腦展上進(jìn)行互動(dòng)演示。

LSI SandForce SF-2000 閃存存儲(chǔ)處理器可加速業(yè)界最先進(jìn)閃存介質(zhì)的性能,并使可靠性實(shí)現(xiàn)較大化

北京2012年6月5日電 /美通社亞洲/ -- 在2012臺(tái)北國(guó)際電腦展上,LSI公司(紐約證交所股票代碼:LSI)宣布演示其備受贊譽(yù)的SandForce® SF-2000閃存存儲(chǔ)處理器(FSP),該產(chǎn)品采用Toshiba 19nm以及Intel  20nm NAND 閃存 -- 目前SSD應(yīng)用中所使用的最先進(jìn)閃存技術(shù)。這些前沿的技術(shù)將于本周舉行的2012年臺(tái)北國(guó)際電腦展上進(jìn)行互動(dòng)演示。

LSI SandForce FSP 可為NAND 閃存固態(tài)硬盤(SSD)提供同類較佳的性能、可靠性、耐用性和功效。公司現(xiàn)有的產(chǎn)品證明,LSI不僅可以幫助SSD制造商以更快的速度向市場(chǎng)推出成本更低的SSD產(chǎn)品,還可以加速閃存存儲(chǔ)在云計(jì)算、企業(yè)和客戶端應(yīng)用中的廣泛普及。到2015年SSD產(chǎn)品在客戶端和企業(yè)市場(chǎng)領(lǐng)域的出貨量將超過1億,與2011年相比出貨量增長(zhǎng)56%。(1)

SSD目標(biāo)分析師Jim Handy 指出:“SSD用戶都希望從領(lǐng)先的閃存技術(shù)中獲得巨大的成本優(yōu)勢(shì),但大部分SSD控制器都無法管理最先進(jìn)和成本較低的閃存芯片的復(fù)雜性。通過支持較小的NAND工藝,LSI將幫助OEM廠商和終端用戶在云計(jì)算、企業(yè)和客戶端等I/O密集型和基本數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用中部署最具成本效益的閃存存儲(chǔ)處理器?!?/p>

隨著閃存存儲(chǔ)器的尺寸不斷縮小,引入先進(jìn)的錯(cuò)誤校驗(yàn)功能已成為當(dāng)務(wù)之急。這是因?yàn)楠?dú)立單元已很難維持一定荷質(zhì)比,這會(huì)降低閃存器件的可靠性、數(shù)據(jù)完整性和數(shù)據(jù)保留特性。為了優(yōu)化19nm和20nm閃存存儲(chǔ)的可靠性和耐用性,LSI 的SandForce SF-2000 FSP在512字節(jié)扇區(qū)內(nèi)可校正多達(dá)55位錯(cuò)誤,也成為業(yè)界首款可同時(shí)支持企業(yè)和客戶端市場(chǎng)的處理器。LSI SandForce產(chǎn)品包括一個(gè)獨(dú)特的糾錯(cuò)引擎,盡管當(dāng)今和未來先進(jìn)NAND閃存技術(shù)對(duì)閃存錯(cuò)誤校驗(yàn)功能的要求不斷變化和提高,但是該引擎憑借其獨(dú)特的設(shè)計(jì)完全可以應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。

LSI 閃存組件部副總裁兼總經(jīng)理Michael Raam 指出:“與6家NAND閃存技術(shù)領(lǐng)先制造商開展合作,使我們能夠針對(duì)不斷縮小的芯片尺寸對(duì)閃存處理器進(jìn)行優(yōu)化。SSD已經(jīng)具備云計(jì)算和財(cái)富1000企業(yè)中關(guān)鍵任務(wù)型計(jì)算環(huán)境所需的卓越可靠性,使用壽命和功效,并且隨著用戶越來越認(rèn)可這些屬性,我們期望繼續(xù)看到SSD技術(shù)被廣泛采用?!?/p>

為了滿足客戶對(duì)小尺寸閃存器件的可靠性和耐用性要求,LSI SandForce FSP 采用了DuraClass® 高級(jí)NAND閃存管理技術(shù)。

DuraClass管理特性包括:

  • DuraWrite?優(yōu)化閃存的程序周期數(shù)量,有效地提高閃存耐用性。
  • RAISE?(獨(dú)立芯片冗余陣列):驅(qū)動(dòng)器可靠性得到大幅提高,可實(shí)現(xiàn)單驅(qū)動(dòng)解決方案、RAID式的保護(hù)及恢復(fù)功能。
  • 高級(jí)耗損平衡和監(jiān)視:較佳耗損平衡算法可進(jìn)一步增強(qiáng)閃存耐用性。
  • 反復(fù)循環(huán)器智能地執(zhí)行“垃圾收集”操作,清除無效數(shù)據(jù),使閃存耐用性影響最小化。

LSI技術(shù)演示將在臺(tái)北市君悅酒店1037和1038號(hào)LSI套房中進(jìn)行。如需了解關(guān)于LSI SandForce FSP的更多信息,敬請(qǐng)?jiān)L問:www.lsi.com/sandforce

About LSI

LSI公司 (NYSE: LSI) 設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體組件和軟件可用于提高數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)和客戶端計(jì)算的存儲(chǔ)性能和網(wǎng)絡(luò)速度。我們的技術(shù)是高度智慧的結(jié)晶,是加強(qiáng)應(yīng)用性能的關(guān)鍵所在。同時(shí),我們積極與合作伙伴開展協(xié)作,共同開發(fā)解決方案以更好地將我們的技術(shù)應(yīng)用其中。如需了解更多詳情,請(qǐng)?jiān)L問:www.lsi.com

(1) IDC,“IDC WW SSD 2011-2015年預(yù)測(cè)更新”, 2012年3月。

LSI與LSI徽標(biāo)設(shè)計(jì)以及SandForce、DuraClass、DuraWrite以及RAISE均是LSI公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

所有其它品牌或產(chǎn)品名稱可能是其各自所有者的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

消息來源:LSI公司
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