北京2021年11月12日 /美通社/ -- 宜普電源轉換公司（EPC）是增強型硅基氮化鎵（eGaN®）功率場效應晶體管和集成電路的全球行業(yè)領先供應商，其eToF?激光驅動器集成電路（EPC21601）在2021全球電子成就獎（WEAA）評選中，榮獲年度功率半導體/驅動器大獎。
全球電子成就獎旨在評選并表彰對推動全球電子產業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)和管理者，以及在業(yè)界處于領先地位的產品。由ASPENCORE全球資深產業(yè)分析師組成的評審委員會和全球網站用戶群進行綜合評定，共同評選出得獎者。ASPENCORE主辦的全球高科技領袖論壇-全球CEO峰會和全球電子成就獎頒獎典禮在2021年11月3日于深圳舉行。
宜普電源轉換公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow博士說：“我謹代表EPC團隊感謝ASPENCORE團隊和所有投票者，支持eToF激光驅動器IC（EPC21601）以獲得享有盛譽的全球電子成就獎。我們的氮化鎵IC技術的最新發(fā)展針對改變飛行時間激光雷達系統(tǒng)的設計方式，在單個芯片上集成氮化鎵場效應晶體管（eGaN®FET）和驅動器,可實現功能強大、速度超快的集成電路，從而實現尺寸更小、成本更低的飛行時間（ToF）激光雷達系統(tǒng)以在消費類應用中，更普遍被采用?！?/p>
eToF?激光驅動器集成電路（EPC21601）在單個芯片上集成了40 V、10 A 場效應晶體管、柵極驅動器和3.3 V邏輯電平輸入，針對飛行時間（ToF）激光雷達系統(tǒng)，用于機器人、監(jiān)控保安系統(tǒng)、無人機、全自動駕駛汽車和吸塵器。
EPC21601集成電路能夠在超過100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下，調制并實現高達10 A的激光驅動電流。開啟和斷開時間分別為410 ps和320 ps。
EPC21601集成了基于EPC專有的氮化鎵IC技術的單芯片驅動器和氮化鎵場效應晶體管，采用芯片級BGA封裝，其外形尺寸僅為1.5 mm x 1.0 mm。由于外形小巧且集成了多個功能，因此與采用等效多芯片分立器件的解決方案相比，其占板面積小36％。
宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵（eGaN®）的功率管理器件的領先供應商，其氮化鎵場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，目標應用包括直流- 直流轉換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅動器，以及低成本衛(wèi)星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續(xù)擴大基于eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站（www.epc-co.com.cn）和觀看優(yōu)酷視頻。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊商標。
