首爾2020年10月6日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。
SK海力士于2018年11月成功開發(fā)全球首款16Gb DDR5 DRAM之后，向英特爾等核心客戶提供樣品，并完成了一系列測試與性能、兼容性驗證等程序。此番成果意味著SK海力士在即將到來的DDR5市場隨時能夠銷售相關(guān)產(chǎn)品。
期間，SK海力士與SoC1)（System On Chip）開發(fā)公司等不同企業(yè)共同運營現(xiàn)場分析研究室，并通過共同執(zhí)行系統(tǒng)級別測試（System Level Test）及各種模擬測試完成了新產(chǎn)品的性能驗證。與此同時，SK海力士還與諸多公司緊密合作，進(jìn)行了包括RCD2)（Register Clock Driver）、PMIC3)（Power Management IC）等構(gòu)成模組的主要部件的兼容性驗證。
SK海力士推出的DDR5 DRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)4,800 ~ 5,600Mbps，其速率相較前一代DDR4最多提升了1.8倍。5,600Mbps的傳輸速率意味著能夠在1秒內(nèi)傳輸九部全高清（Full-HD, FHD）電影。不僅如此，該產(chǎn)品的動作電壓由前一代的1.2V降到了1.1V，成功減少了20%的功耗。
SK海力士DDR5 DRAM的另一個顯著特征是其芯片內(nèi)置型錯誤糾正代碼（Error Correction Code, ECC）；內(nèi)置ECC能夠依靠自身功能修復(fù)DRAM單元（cell）單字節(jié)單位的錯誤。有助于該特性，采用SK海力士DDR5 DRAM的系統(tǒng)的可信賴度有望提升二十倍。若與硅通孔（Through Silicon Via, TSV）技術(shù)相結(jié)合，更能夠組成容量高達(dá)256GB的高容量模組。
SK海力士期待這種低功耗、高信賴度且綠色環(huán)保的DDR5 DRAM將幫助數(shù)據(jù)中心降低其功耗及運營成本。
英特爾數(shù)據(jù)平臺部門（Data Platforms Group）的Carolyn Duran副總裁（Vice President）表示：“為了樹立基于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的初期結(jié)構(gòu)概念（early architecture concept）并完成DDR5標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的開發(fā)，英特爾與SK海力士維持了緊密的合作關(guān)系。雙方為了確保產(chǎn)品性能，進(jìn)行了試制產(chǎn)品的設(shè)計、驗證；這意味著兩家公司已經(jīng)做好了滿足客戶需求的準(zhǔn)備?！?/p>
吳鐘勛SK海力士副社長兼首席營銷官（Chief Marketing Officer, CMO）則表示：“SK海力士成功推出世界首款DDR5 DRAM，得以在DRAM市場占據(jù)未來技術(shù)優(yōu)勢。我公司將重點瞄準(zhǔn)快速成長的高端服務(wù)器市場，進(jìn)一步鞏固在服務(wù)器DRAM領(lǐng)域擁有的領(lǐng)先地位?！?/p>
固態(tài)技術(shù)協(xié)會（Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC）于2020年7月正式發(fā)布了DDR5 DRAM的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
而市場調(diào)研機構(gòu)Omdia分析指出，對DDR5的市場需求將從2020年開始逐步顯現(xiàn)；其市占率將在2022年占整個DRAM市場的10%，2024年則將進(jìn)一步擴大至43%。
新思科技（Synopsys），瑞薩（Renesas），瀾起科技（Montage Technology），Rambus等企業(yè)也紛紛表示將為了打造DDR5生態(tài)圈而保持緊密合作關(guān)系。
負(fù)責(zé)IP營銷與戰(zhàn)略的John Koeter新思科技高級副總裁指出：“通過與SK海力士的合作，新思科技將為需要超高速、高容量存儲器的高性能計算（High Performance Computing, HPC）SoC提供高信賴度的DDR5解決方案。新思科技通過SK海力士的DDR5 RDIMM模組，在最大傳輸速率6,400Mbps的環(huán)境下完成了‘DesignWare DDR5/4 IP’的驗證，這意味著將設(shè)計者的風(fēng)險最小化的同時，能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)密集型的高性能SoC。”
Rami Sethi瑞薩副總裁兼數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)部門（Data Center Business Division）總經(jīng)理（General Manager）表示：“瑞薩在過去二十年作為倡導(dǎo)存儲器接口市場的企業(yè)，對與諸多合作公司及客戶建立的合作關(guān)系感到十分自豪。通過此番與SK海力士的緊密合作，瑞薩成功完成了涉及服務(wù)器、客戶、內(nèi)置系統(tǒng)等諸多應(yīng)用領(lǐng)域的DDR5 DRAM產(chǎn)品的驗證?！?/p>
負(fù)責(zé)銷售與經(jīng)營開發(fā)（Sales and Business Development）的Geof Findley瀾起科技副總裁則表示：“我們非常高興能夠與SK海力士為了打造DDR5存儲器生態(tài)圈而相互合作。瀾起科技在早期DDR存儲器萌芽之際就已經(jīng)與SK海力士展開了合作關(guān)系，我公司承諾持續(xù)提供高性能、低能耗的存儲器接口解決方案。目前，瀾起科技能夠提供涵蓋不同領(lǐng)域的全方位DRAM模組接口產(chǎn)品，很高興能夠再次與SK海力士合作，為DDR5市場的加速發(fā)展添一份力?！?/p>
Chien-Hsin Lee Rambus副總裁兼集成電路部門（Integrated Circuits）總經(jīng)理認(rèn)為：“我們非常高興在實現(xiàn)下一代新技術(shù)等領(lǐng)域與SK海力士合作，進(jìn)而為營造DDR5生態(tài)圈貢獻(xiàn)。我們相信，采用全新存儲器接口的DDR5 DRAM模組將幫助提升服務(wù)器性能，并滿足需要高容量、高帶寬存儲器的數(shù)據(jù)中心市場的需求?！?/p>
注解
- SoC (System on Chip)
又稱系統(tǒng)級芯片，指將與中央處理器（CPU）及系統(tǒng)Bus相結(jié)合的周邊電路裝置（存儲器控制器、PCIe Bus等）集成至單一芯片的解決方案。
- RCD (Register Clock Driver)
又稱寄存時鐘驅(qū)動芯片，是用于服務(wù)器DRAM模組（RDIMM、LRDIMM）的有源元件（active element），其功能是放大從存儲器控制器適用至存儲器的指令及數(shù)據(jù)信號，進(jìn)而保障發(fā)射機（transmitter）與接收機（receiver）之間信號品質(zhì)。
- PMIC (Power Management Integrated Circuit)
又稱電源管理集成電路，指接收主電源輸出并為電子設(shè)備提供其所需的穩(wěn)定、高效的電壓、電流的集成電路；PMIC是在DDR5這一代被DRAM模組首次采用。
關(guān)于SK海力士
SK海力士總部位于韓國, 是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商, 為全球客戶提供DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器), NAND閃存(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導(dǎo)體產(chǎn)品。公司于韓國證券交易所上市, 其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多, 請點擊公司網(wǎng)站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。
