TI推出業(yè)內(nèi)最小、較快的GaN驅(qū)動器，擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

兩款新型FET驅(qū)動器有助于納秒級LiDAR應用和50MHz DC / DC轉(zhuǎn)換器

2018-04-20 18:54 19581

德州儀器（TI）近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅(qū)動器，進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻（RF）包絡追蹤等速度關(guān)鍵應用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設計。

北京2018年4月20日電 /美通社/ -- 德州儀器（TI）（NASDAQ：TXN）近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅(qū)動器，進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻（RF）包絡追蹤等速度關(guān)鍵應用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時提高效率，并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.ti.com.cn/lmg1210-pr-cn.。

憑借業(yè)內(nèi)較佳的驅(qū)動速度以及1 ns的最小脈沖寬度，LMG1020 60-MHz低側(cè)GaN驅(qū)動器可在工業(yè)LIDAR應用中使用高精度激光器。小型晶圓級芯片（WCSP）封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm，有助于較大限度地減少柵極環(huán)路寄生和損耗，進一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半橋驅(qū)動器，專為高達200V的GaN場效應晶體管而設計。該器件的可調(diào)死區(qū)時間控制功能能夠?qū)⒏咚貲C / DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、D類音頻放大器及其它功率轉(zhuǎn)換應用效率提高多達5%。設計人員可利用超過300 V / ns的業(yè)內(nèi)較高共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）實現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗噪聲能力。

LMG1020和LMG1210的主要特點和優(yōu)勢

高速：這兩款器件可提供超高速傳播延遲（2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]），使電源解決方案比采用硅驅(qū)動器快50倍。另外，LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖，實現(xiàn)遠程LIDAR應用。
高效率：這兩款器件均可實現(xiàn)高效率設計。 LMG1210提供1 pF的低開關(guān)節(jié)點電容和用戶可調(diào)的死區(qū)時間控制，可將效率提高多達5%。
功率密度：LMG1210中的死區(qū)時間控制集成功能可減少元件數(shù)量并提高效率，使設計人員能夠?qū)㈦娫闯叽缃档投噙_80%。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有業(yè)內(nèi)最小封裝和較高分辨率。

TI GaN產(chǎn)品的優(yōu)勢

LMG1020和LMG1210是業(yè)界較大的GaN電源產(chǎn)品組合中的最新成員，從200V驅(qū)動器到80V和600V功率級。憑借超過1,000萬小時的GaN工藝可靠性測試，TI提供可靠的GaN產(chǎn)品以滿足對成熟和即用型解決方案的需求，為GaN技術(shù)帶來數(shù)十年的硅制造專業(yè)技術(shù)和高級器件開發(fā)人才。

在APEC上參觀TI展臺

TI將于當?shù)貢r間2018年3月4日至8日參展在得克薩斯州圣安東尼奧市舉行的美國國際電力電子應用展覽會（APEC），并展示其廣泛的GaN產(chǎn)品組合以及GaN技術(shù)。

加快設計所需的支持和工具

設計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅(qū)動器參考設計和高速DC / DC轉(zhuǎn)換器的多兆赫GaN功率級參考設計，快速開始他們的氮化鎵設計。

封裝和供貨情況

LMG1020和LMG1210的原型樣品現(xiàn)已在TI商店和公司的授權(quán)分銷網(wǎng)絡上提供。 LMG1020采用WCSP封裝，而LMG1210采用四方扁平無引腳（QFN）封裝。

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