北京2016年5月5日電 /美通社/ -- 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mU場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設(shè)計(jì)人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設(shè)計(jì)。而這些優(yōu)勢(shì)在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中都特別重要。如需了解更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問www.ti.com.cn/lmg3410-pr-cn
“通過3百萬小時(shí)以上的可靠測(cè)試，LMG3410使電源設(shè)計(jì)人員對(duì)GaN的無限潛能充滿信心，并且這也他們用之前認(rèn)為根本不可行的方法重新思考電源架構(gòu)和系統(tǒng)，”TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses說，“隨著TI在生產(chǎn)制造能力和大量系統(tǒng)設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)方面的聲譽(yù)不斷擴(kuò)大，全新的功率級(jí)成為TI邁向GaN市場(chǎng)的重要一步?！?/p>
借助集成驅(qū)動(dòng)器和零反向恢復(fù)電流等特性，LMG3410提供可靠的性能，特別是在硬開關(guān)應(yīng)用中更是如此；在這些應(yīng)用中，它能夠極大地降低開關(guān)損耗，最多能降低80%。與獨(dú)立GaN FET不同，易于使用的LMG3410集成了針對(duì)溫度、電流和欠壓閉鎖(UVLO)故障保護(hù)的內(nèi)置智能化等功能。
經(jīng)驗(yàn)證的制造和封裝專業(yè)技術(shù)
LMG3410是第一款包含了由TI生產(chǎn)的GaN FET的半導(dǎo)體集成電路(IC)?；谠谥圃旌凸に囶I(lǐng)域多年形成的專業(yè)技術(shù)，TI在其硅技術(shù)兼容的工廠內(nèi)創(chuàng)造出了GaN器件，并且通過不斷的實(shí)踐，使這些器件的質(zhì)量超過了電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì)(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)的要求，以確保GaN在嚴(yán)酷的使用環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)健耐用性。易于使用的封裝將有助于增加功率因數(shù)控制器(PFC) AC/DC轉(zhuǎn)換器、高壓DC總線轉(zhuǎn)換器和光伏(PV)逆變器等應(yīng)用中GaN電源設(shè)計(jì)的部署和采用率。
LMG3410的主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
拓展GaN生態(tài)系統(tǒng)
為了能夠讓設(shè)計(jì)人員在他們的電源設(shè)計(jì)中利用GaN技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)，TI還推出了全新的產(chǎn)品，以擴(kuò)展其GaN生態(tài)系統(tǒng)。LMG5200POLEVM-10，一個(gè)48V至1V負(fù)載點(diǎn)(POL)評(píng)估模塊，將包括與80V LMG5200 GaN FET功率級(jí)配對(duì)使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。這個(gè)解決方案可以在工業(yè)、電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高達(dá)92%的效率。
供貨
TI將提供包含一個(gè)半橋子板和4個(gè)LMG3410 IC樣片的開發(fā)套件。第二個(gè)套件包含一個(gè)系統(tǒng)級(jí)評(píng)估母板。一起使用時(shí)，這兩個(gè)套件可實(shí)現(xiàn)直接工作臺(tái)測(cè)試和設(shè)計(jì)?，F(xiàn)在，這兩個(gè)開發(fā)套件在TI商店有售。
其它資源：
