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ADI推出SPDT開關為測試測量應用提供快速建立時間

2015-05-21 10:00 6303
ADI日前推出了一款專門用于9 KHz至13 GHz頻段的吸收式單刀雙擲(SPDT)開關HMC1118LP3DE,它具有48dB的高隔離度,在8 GHz條件下運行時僅有0.6dB的低插入損耗。

北京2015年5月21日電 /美通社/ -- Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款專門用于9 KHz至13 GHz頻段的吸收式單刀雙擲(SPDT)開關HMC1118LP3DE,它具有48dB的高隔離度,在8 GHz條件下運行時僅有0.6dB的低插入損耗。HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制產(chǎn)品組合中的第一款產(chǎn)品,展現(xiàn)了硅工藝技術的固有優(yōu)勢,與傳統(tǒng)的GaAs(砷化鎵)RF 開關相比具有重大明顯優(yōu)勢。 這些優(yōu)勢包括:建立時間比GaAs快100倍;提供強大的ESD(靜電放電)保護(達到2000V,而GaAs僅為250V);能夠擴展開關的低頻端,比GaAs低1000倍,同時保持高線性度。

ADI推出SPDT開關為測試測量應用提供快速建立時間
ADI推出SPDT開關為測試測量應用提供快速建立時間

 

HMC1118LP3DE還提供4W的業(yè)界領先RF功率處理能力,在熱切換工作模式下達到0.5W。它的熱切換功率處理能力超出了具有相同RF帶寬的競爭器件的兩倍,這使工程師能夠在他們的應用和系統(tǒng)中提高RF功率,而不會產(chǎn)生器件損壞的風險。HMC1118LP3DE專為高隔離度進行了優(yōu)化,在較大13 GHz的寬工作頻率范圍內提供極其平坦的傳遞特性,同時保持較低9kHz的高信號保真度。這些特性組合在一起,使得該開關非常適合要求苛刻的測試和測量、自動化測試設備、國防電子產(chǎn)品、無線通信應用,充當傳統(tǒng) GaAs開關的更低成本替代產(chǎn)品。

HMC1118LP3DE SPDT開關的主要特性

  • 非反射式50歐姆設計
  • 正控制:0/+3.3 V
  • 低插入損耗:0.68dB(8GHz時)
  • 高隔離度:50dB(8GHz時)
  • 9KHz的低截止頻率
  • 7.5微秒的快速建立時間(對于0.05 dB的最終RF輸出電平)
  • 業(yè)界領先的高功率處理能力:
    • 35.5 dBm的通過路徑
    • 27 dBm端接路徑和熱切換應用
  • 高線性度:
    • P1dB:+37 dBm(典型值)
    • IIP3:+61 dBm(典型值)
  • ESD額定值:2-KV HBM

定價和供貨

產(chǎn)品

千片訂量報價

封裝

HMC1118LP3DE

6.18美元/片

3-mm × 3-mm
QFN SMT

Photo - http://photos.prnasia.com/prnh/20150520/0861504290

消息來源:ADI
China-PRNewsire-300-300.png
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