一.SiC和GaN功率半導(dǎo)體銷售額將大幅增長
近期國際電子電力行業(yè)的相關(guān)市場一直圍繞著“光伏”這個話題展開激烈的探討，有些國家會借此機(jī)會加大對光伏市場的調(diào)整，重新規(guī)范光伏市場這個即將崛起的領(lǐng)域。
其中據(jù)有關(guān)報告預(yù)測，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。也就是說，在未來十年半導(dǎo)體市場的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。
在未來幾年里，受到電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機(jī)的需求等眾多因素的驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長
二.專家分析SiC和GaN功率半導(dǎo)體的增長預(yù)測
在預(yù)測增長的產(chǎn)品中GaN是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬帶隙材料，并且GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場，擁有更大的成本控制潛力。
而另一SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。SiC肖特基二極管，已存在十多年，
經(jīng)過市場的調(diào)查分析，氮化鎵上硅設(shè)備與硅MOSFET、IGBT或整流器將在2019年實(shí)現(xiàn)平價和同等性能，至2022年GaN功率市場銷售額將超過10億大關(guān)。
預(yù)測至2022年這一數(shù)字將增加近一倍的SiC肖特基二極管在去年的銷售額超過1億美元，是目前最暢銷的SiC或GaN設(shè)備。
相比之下其依靠穩(wěn)定的可靠性、價格及性能的優(yōu)勢，SiCJFET和SiCBJT各自的銷售額預(yù)計僅達(dá)到SiCMOSFET的一半。屆時SiCMOSFET銷售額預(yù)計將達(dá)到4億美元，超越肖特基二極管成為最熱賣的離散電源設(shè)備類型。
雖然IHS預(yù)測SiC和GaN市場未來幾年增長強(qiáng)勁，但與一年前相比，仍是有些小幅度的降低，這一變化的主要原因在于全球經(jīng)濟(jì)的低迷現(xiàn)狀使市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)低了對功率組件設(shè)備的出貨量預(yù)測。SiC采用率預(yù)測也被大幅調(diào)低，因為設(shè)備價格并未如此前預(yù)測那樣快速下跌。
根據(jù)市場的導(dǎo)向以及各大廠商對未來市場主流發(fā)展的預(yù)測，業(yè)界更多青睞GaN技術(shù)，越來越多公司已宣布進(jìn)行GaN研發(fā)，加大對GaN研發(fā)的投資。其中著名的Transphorm已成為首家獲得氮化鎵上硅設(shè)備JEDEC資格的公司，為GaN的發(fā)展起了一個先鋒的示范作用。
